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对于半导体制冷片的能带结构你具体了解多少呢

发布日期:2020-08-19 14:40 浏览次数:

  半导体制冷片作为在我们生活中需要场合当中使用的仪器,想必大家对半导体制冷片一定不陌生吧,那么你知道半导体制冷片的能带结构上的结构特性了解多少呢?下面就让杭州半导体制冷片的小编为你介绍下!

杭州半导体制冷片

  晶体中的大量原子聚集在一起,原子之间的距离非常近。以硅为例,每立方厘米有5×1022个原子,原子间的较短距离为0.235纳米。远离原子核的壳层的重叠使电子不再局限于一个原子,并可能转移到相邻原子的类似壳层或从相邻原子移动到更远的原子壳层。这种现象被称为电子共享。因此,处于相同能态的电子有轻微的能量差异,相应的能级扩展到能带。

  禁带:允许被电子占据的带称为允许带,允许带之间的范围不允许被电子占据,称为禁带。原子壳层内层的允许带总是先被电子占据,然后以较高的能量占据外层的允许带。被电子占据的允许带被称为全带,在每个能级没有电子的带被称为空带。

  价带:原子中外层的电子称为价电子和价带。

  导带:价带以上低能量的允许带称为导带。

  导带的较低能级用Ec表示,价带的较高能级用Ev表示,Ec和Ev之间的能级区间称为禁带Eg。

  半导体的传导是通过带电粒子的运动(形成电流)来实现的,而这种电流的载体称为载流子。半导体中的载流子是带负电荷的电子和带正电荷的空穴。对于不同的材料,带隙宽度不同,导带中的电子数也不同,因此具有不同的电导率。例如,绝缘材料二氧化硅的Eg约为5.2eV,导带中的电子很少,所以导电性不好,电阻率大于1012ω·cm。半导体硅的Eg约为1.1eV,导带中有一定数量的电子,因此具有一定的导电性,电阻率为10-3—1012ω·cm。金属的导带与价带在一定程度上重合,Eg=0,价电子可以在金属中自由移动,所以导电性好,电阻率为10-6—10-3ω·cm。

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